casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF9Z14SPBF
codice articolo del costruttore | IRF9Z14SPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF9Z14SPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF9Z14SPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9Z14SPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF9Z14SPBF-FT |
SIHF28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHF10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHF8N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHF18N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHF35N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF15N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF12N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF35N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHF16N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHF6N40D-E3
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel