casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF8736TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF8736TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF8736TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF8736TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2315pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF8736TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF8736TRPBF-FT |
SPP80N04S2-04
Infineon Technologies
SPP80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPP80N04S2L-03
Infineon Technologies
SPP80N06S08AKSA1
Infineon Technologies
SPP80N06S2-05
Infineon Technologies
SPP80N06S2-07
Infineon Technologies
SPP80N06S2-08
Infineon Technologies
SPP80N06S2-09
Infineon Technologies
SPP80N06S2-H5
Infineon Technologies
SPP80N06S2L-05
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel