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Infineon Technologies IRF8301MTRPBF

Numero parte MFG
IRF8301MTRPBF
quantità disponibile
18890 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.81796
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF8301MTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF8301MTRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF8301MTRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF8301MTRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Ta), 192A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6140pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MT
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MT
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8301MTRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF8301MTRPBF-FT

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