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Infineon Technologies IRF7779L2TRPBF

Name: IRF7779L2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TRPBF
Price: 2.164184 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (135 reviews)

Numero parte MFG: IRF7779L2TRPBF

quantità disponibile: 75330 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.164184

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF7779L2TRPBF.pdf

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IRF7779L2TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF7779L2TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF7779L2TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF7779L2TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	375A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET L8
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric L8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7779L2TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF7779L2TRPBF-FT

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