casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7756TR
codice articolo del costruttore | IRF7756TR |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7756TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7756TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7756TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7756TR-FT |
SI6562DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6562DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6924AEDQ-T1-E3
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