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Infineon Technologies IRF7663

Numero parte MFG
IRF7663
quantità disponibile
13120 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7663 specificazioni

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Numero di parte futuro FT-IRF7663
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7663 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2520pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro8™
Pacchetto / caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7663 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7663-FT

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