casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7342D2PBF
codice articolo del costruttore | IRF7342D2PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7342D2PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FETKY™ |
IRF7342D2PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7342D2PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7342D2PBF-FT |
IRF9310TRPBF
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
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LCMXO2-256HC-4SG32I
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LFE5UM-85F-7BG554C
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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Xilinx Inc.