casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7205TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7205TRPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF7205TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7205TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7205TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7205TRPBF-FT |
SPP80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPP80N04S2L-03
Infineon Technologies
SPP80N06S08AKSA1
Infineon Technologies
SPP80N06S2-05
Infineon Technologies
SPP80N06S2-07
Infineon Technologies
SPP80N06S2-08
Infineon Technologies
SPP80N06S2-09
Infineon Technologies
SPP80N06S2-H5
Infineon Technologies
SPP80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPP80N06S2L-06
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel