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Infineon Technologies IRF6794MTRPBF

Numero parte MFG
IRF6794MTRPBF
quantità disponibile
59610 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF6794MTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF6794MTRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF6794MTRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6794MTRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 13V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MX
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6794MTRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6794MTRPBF-FT

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