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Infineon Technologies IRF3808STRRPBF

Name: IRF3808STRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808STRRPBF
Price: 1.3596 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (629 reviews)

Numero parte MFG: IRF3808STRRPBF

quantità disponibile: 41110 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.3596

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF3808STRRPBF.pdf

IRF3808STRRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF3808STRRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF3808STRRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF3808STRRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	106A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5310pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3808STRRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF3808STRRPBF-FT

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