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codice articolo del costruttore | IR04SH111J |
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Numero di parte futuro | FT-IR04SH111J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04SH111J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 110µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 128mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 4.9 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 790kHz |
Frequenza - Autorisonante | 8.9MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 790kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04SH111J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR04SH111J-FT |
IR04BH120J
Vishay Dale
IR04BH120K
Vishay Dale
IR04BH121J
Vishay Dale
IR04BH122J
Vishay Dale
IR04BH131K
Vishay Dale
IR04BH132J
Vishay Dale
IR04BH151J
Vishay Dale
IR04BH152J
Vishay Dale
IR04BH161J
Vishay Dale
IR04BH180K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation