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codice articolo del costruttore | IR02ER8R2J |
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Numero di parte futuro | FT-IR02ER8R2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02ER8R2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 155mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 55MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02ER8R2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR02ER8R2J-FT |
IR02BH470K
Vishay Dale
IR02BH471K
Vishay Dale
IR02BH4R7K
Vishay Dale
IR02BH560K
Vishay Dale
IR02BH561K
Vishay Dale
IR02BH5R1J
Vishay Dale
IR02BH5R6K
Vishay Dale
IR02BH680F
Vishay Dale
IR02BH680K
Vishay Dale
IR02BH681K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel