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codice articolo del costruttore | IR02EB6R8K |
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Numero di parte futuro | FT-IR02EB6R8K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02EB6R8K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 175mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 60MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB6R8K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR02EB6R8K-FT |
IR02BH150K
Vishay Dale
IR02BH151J
Vishay Dale
IR02BH151K
Vishay Dale
IR02BH180K
Vishay Dale
IR02BH181K
Vishay Dale
IR02BH1R0J
Vishay Dale
IR02BH1R0K
Vishay Dale
IR02BH1R2F
Vishay Dale
IR02BH1R2J
Vishay Dale
IR02BH1R2K
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel