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codice articolo del costruttore | IR02EB6R8J |
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Numero di parte futuro | FT-IR02EB6R8J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02EB6R8J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 175mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 60MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB6R8J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR02EB6R8J-FT |
IR02BH150J
Vishay Dale
IR02BH150K
Vishay Dale
IR02BH151J
Vishay Dale
IR02BH151K
Vishay Dale
IR02BH180K
Vishay Dale
IR02BH181K
Vishay Dale
IR02BH1R0J
Vishay Dale
IR02BH1R0K
Vishay Dale
IR02BH1R2F
Vishay Dale
IR02BH1R2J
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel