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Infineon Technologies IPS090N03LGBKMA1

Name: IPS090N03LGBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS090N03LGBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (301 reviews)

Numero parte MFG: IPS090N03LGBKMA1

quantità disponibile: 48840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPS090N03LGBKMA1.pdf

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IPS090N03LGBKMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPS090N03LGBKMA1
Numero di parte futuro	FT-IPS090N03LGBKMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPS090N03LGBKMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO251-3
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS090N03LGBKMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPS090N03LGBKMA1-FT

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