casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS040N03LGAKMA1
codice articolo del costruttore | IPS040N03LGAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS040N03LGAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPS040N03LGAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS040N03LGAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS040N03LGAKMA1-FT |
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R600E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R950C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R950C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC65R037C6X1SA2
Infineon Technologies
IPC65R041CFDX1SA1
Infineon Technologies
IPC65R070C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC65R080CFDX1SA1
Infineon Technologies
IPC80N04S403ATMA1
Infineon Technologies
IPC90R120C3X1SA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel