casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP77N06S212AKSA2
codice articolo del costruttore | IPP77N06S212AKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP77N06S212AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP77N06S212AKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP77N06S212AKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP77N06S212AKSA2-FT |
IPP21N03L G
Infineon Technologies
IPP220N25NFDAKSA1
Infineon Technologies
IPP22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
IPP230N06L3 G
Infineon Technologies
IPP25N06S325XK
Infineon Technologies
IPP25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPP260N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP26CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPP26CNE8N G
Infineon Technologies
IPP35CN10N G
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel