casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPF06N03LA G
codice articolo del costruttore | IPF06N03LA G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPF06N03LA G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPF06N03LA G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPF06N03LA G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPF06N03LA G-FT |
IRLZ44ZLPBF
Infineon Technologies
SPI07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI07N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPI07N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI08N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI08N80C3
Infineon Technologies
SPI08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI100N03S2-03
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel