casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R400CEATMA1

| codice articolo del costruttore | IPD60R400CEATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPD60R400CEATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolMOS™ CE |
| IPD60R400CEATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD60R400CEATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPD60R400CEATMA1-FT |

IRL3715ZLPBF
Infineon Technologies

IRL3716LPBF
Infineon Technologies

IRL3803LPBF
Infineon Technologies

IRL520NL
Infineon Technologies

IRL530NL
Infineon Technologies

IRL540NL
Infineon Technologies

IRL540NLPBF
Infineon Technologies

IRL5602L
Infineon Technologies

IRL60SL216
Infineon Technologies

IRL7833LPBF
Infineon Technologies

XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.

M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation

A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation

APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation

LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXEA5K3F35C2L
Intel

XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.

XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.

XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.

5SGXMA3H1F35C2LN
Intel