casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R2K0C6ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R2K0C6ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD60R2K0C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C6 |
IPD60R2K0C6ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 760mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 22.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R2K0C6ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R2K0C6ATMA1-FT |
IRL3715ZCLPBF
Infineon Technologies
IRL3715ZL
Infineon Technologies
IRL3715ZLPBF
Infineon Technologies
IRL3716LPBF
Infineon Technologies
IRL3803LPBF
Infineon Technologies
IRL520NL
Infineon Technologies
IRL530NL
Infineon Technologies
IRL540NL
Infineon Technologies
IRL540NLPBF
Infineon Technologies
IRL5602L
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel