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Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1

Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1
Price: 0.430584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (505 reviews)

Numero parte MFG: IPD60N10S4L12ATMA1

quantità disponibile: 15030 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.430584

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH TO252-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPD60N10S4L12ATMA1.pdf

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IPD60N10S4L12ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPD60N10S4L12ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPD60N10S4L12ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
IPD60N10S4L12ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3170pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3-313
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60N10S4L12ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPD60N10S4L12ATMA1-FT

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