casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC60R070C6UNSAWNX6SA1
codice articolo del costruttore | IPC60R070C6UNSAWNX6SA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPC60R070C6UNSAWNX6SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC60R070C6UNSAWNX6SA1-FT |
FQ7N10
MICROSS/On Semiconductor
FQD5N50CTM-WS
ON Semiconductor
FQI11N40TU
ON Semiconductor
FQP13N50C_F105
ON Semiconductor
GWS4618L
Renesas Electronics America Inc.
H5N2007LSTL-E
Renesas Electronics America
H5N2307LSTL-E
Renesas Electronics America
HAT1047RWS-E
Renesas Electronics America
HAT1069C-EL-E
Renesas Electronics America
HAT1127HWS-E
Renesas Electronics America
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel