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Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1

Name: IPB80N06S2L09ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2L09ATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (352 reviews)

Numero parte MFG: IPB80N06S2L09ATMA1

quantità disponibile: 75840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPB80N06S2L09ATMA1.pdf

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IPB80N06S2L09ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPB80N06S2L09ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPB80N06S2L09ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB80N06S2L09ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2620pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB80N06S2L09ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPB80N06S2L09ATMA1-FT

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