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codice articolo del costruttore | IPB017N08N5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB017N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB017N08N5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB017N08N5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB017N08N5ATMA1-FT |
BUK7C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C4R5-100EJ
NXP USA Inc.
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.
IRF1324S-7PPBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel