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codice articolo del costruttore | IMS5SWDBH3R3J65 |
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Numero di parte futuro | FT-IMS5SWDBH3R3J65 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH3R3J65 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 800mA |
Corrente - Saturazione | 800mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 85MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH3R3J65 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS5SWDBH3R3J65-FT |
IM10RFCLEB103J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB182J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB1R8K12
Vishay Dale
IM10RFCLEB2R2K12
Vishay Dale
IM10RFCLEB3R3J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB4R7K12
Vishay Dale
IM10RFCLEB6R8K12
Vishay Dale
IM10RFCLEZ103J12
Vishay Dale
IM10RFCLEZ4R7K12
Vishay Dale
IM10RFCLRA101K12
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel