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codice articolo del costruttore | IMS02EBR82K |
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Numero di parte futuro | FT-IMS02EBR82K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2 |
IMS02EBR82K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 405mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 165MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EBR82K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS02EBR82K-FT |
IMC0402ER10NJ
Vishay Dale
IMC0402ER12NJ
Vishay Dale
IMC0402ER15NJ
Vishay Dale
IMC0402ER18NJ
Vishay Dale
IMC0402ER1N0S
Vishay Dale
IMC0402ER1N2S
Vishay Dale
IMC0402ER1N5S
Vishay Dale
IMC0402ER1N8S
Vishay Dale
IMC0402ER22NJ
Vishay Dale
IMC0402ER27NJ
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel