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codice articolo del costruttore | IMC1812ESR33J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1812ESR33J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812ESR33J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 330nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 430mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 250MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812ESR33J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1812ESR33J-FT |
IMC1812ERR82K
Vishay Dale
IMC1812ES100J
Vishay Dale
IMC1812ES100K
Vishay Dale
IMC1812ES101J
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel