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codice articolo del costruttore | IMC1812ESR10M |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1812ESR10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812ESR10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 320 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 650MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812ESR10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1812ESR10M-FT |
IMC1812ERR18M
Vishay Dale
IMC1812ERR22K
Vishay Dale
IMC1812ERR22M
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IMC1812ERR33M
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IMC1812ERR47J
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IMC1812ERR68J
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IMC1812ERR68K
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XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel