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codice articolo del costruttore | IMC1812ERR10M |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1812ERR10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812ERR10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 320 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 650MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812ERR10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1812ERR10M-FT |
IMC1812EBR22M
Vishay Dale
IMC1812EBR27J
Vishay Dale
IMC1812EBR27K
Vishay Dale
IMC1812EBR27M
Vishay Dale
IMC1812EBR33J
Vishay Dale
IMC1812EBR33K
Vishay Dale
IMC1812EBR33M
Vishay Dale
IMC1812EBR39J
Vishay Dale
IMC1812EBR39M
Vishay Dale
IMC1812EBR47J
Vishay Dale
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel