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codice articolo del costruttore | IMC1812EB4R7K |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1812EB4R7K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812EB4R7K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 315mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 35MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812EB4R7K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1812EB4R7K-FT |
IMC1812BN6R8J
Vishay Dale
IMC1812BN6R8K
Vishay Dale
IMC1812BN820J
Vishay Dale
IMC1812BN820K
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IMC1812BN821J
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IMC1812BN821K
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IMC1812BN82NK
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IMC1812BN82NM
Vishay Dale
IMC1812BN8R2J
Vishay Dale
IMC1812BN8R2K
Vishay Dale
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel