casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMC1812EB180J
codice articolo del costruttore | IMC1812EB180J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMC1812EB180J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812EB180J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 18µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 190mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 15MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812EB180J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1812EB180J-FT |
IMC1812BN220K
Vishay Dale
IMC1812BN221J
Vishay Dale
IMC1812BN221K
Vishay Dale
IMC1812BN22NM
Vishay Dale
IMC1812BN270J
Vishay Dale
IMC1812BN270K
Vishay Dale
IMC1812BN271J
Vishay Dale
IMC1812BN271K
Vishay Dale
IMC1812BN27NM
Vishay Dale
IMC1812BN2R2J
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel