casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMC1210SY56NM
codice articolo del costruttore | IMC1210SY56NM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMC1210SY56NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210SY56NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 56nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 470mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 330 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210SY56NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210SY56NM-FT |
IMC1210ERR33K
Vishay Dale
IMC1210ERR33M
Vishay Dale
IMC1210ERR39J
Vishay Dale
IMC1210ERR39K
Vishay Dale
IMC1210ERR39M
Vishay Dale
IMC1210ERR47J
Vishay Dale
IMC1210ERR47K
Vishay Dale
IMC1210ERR47M
Vishay Dale
IMC1210ERR56J
Vishay Dale
IMC1210ERR56K
Vishay Dale
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation