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codice articolo del costruttore | IMC1210ER56NJ |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210ER56NJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210ER56NJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 56nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 470mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 330 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER56NJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210ER56NJ-FT |
IMC1210EBR12J
Vishay Dale
IMC1210EBR12K
Vishay Dale
IMC1210EBR12M
Vishay Dale
IMC1210EBR15J
Vishay Dale
IMC1210EBR15K
Vishay Dale
IMC1210EBR15M
Vishay Dale
IMC1210EBR18J
Vishay Dale
IMC1210EBR18K
Vishay Dale
IMC1210EBR18M
Vishay Dale
IMC1210EBR22J
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation