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codice articolo del costruttore | IMC1210EB6R8J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB6R8J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB6R8J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 204mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 40MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB6R8J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB6R8J-FT |
IMC1210BNR27K
Vishay Dale
IMC1210BNR27M
Vishay Dale
IMC1210BNR33J
Vishay Dale
IMC1210BNR33K
Vishay Dale
IMC1210BNR33M
Vishay Dale
IMC1210BNR39J
Vishay Dale
IMC1210BNR39K
Vishay Dale
IMC1210BNR39M
Vishay Dale
IMC1210BNR47J
Vishay Dale
IMC1210BNR47K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation