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codice articolo del costruttore | IMC1210EB150K |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB150K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB150K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 15µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 164mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 21MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB150K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB150K-FT |
IMC1210BN221J
Vishay Dale
IMC1210BN221K
Vishay Dale
IMC1210BN22NK
Vishay Dale
IMC1210BN22NM
Vishay Dale
IMC1210BN270J
Vishay Dale
IMC1210BN270K
Vishay Dale
IMC1210BN27NJ
Vishay Dale
IMC1210BN27NK
Vishay Dale
IMC1210BN2R2J
Vishay Dale
IMC1210BN2R2K
Vishay Dale
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel