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codice articolo del costruttore | IM04EBR47M |
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Numero di parte futuro | FT-IM04EBR47M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM04EBR47M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.225A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 310MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 790kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM04EBR47M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM04EBR47M-FT |
IMC1812RV10NM
Vishay Dale
IMC1812RV120J
Vishay Dale
IMC1812RV121J
Vishay Dale
IMC1812RV121K
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IMC1812RV12NM
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IMC1812RV150J
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IMC1812RV150K
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IMC1812RV151J
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IMC1812RV151K
Vishay Dale
IMC1812RV15NM
Vishay Dale
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
Intel