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codice articolo del costruttore | IM04EB8R2K |
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Numero di parte futuro | FT-IM04EB8R2K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM04EB8R2K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 360mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 50MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM04EB8R2K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM04EB8R2K-FT |
IMC1812RV120J
Vishay Dale
IMC1812RV121J
Vishay Dale
IMC1812RV121K
Vishay Dale
IMC1812RV12NM
Vishay Dale
IMC1812RV150J
Vishay Dale
IMC1812RV150K
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IMC1812RV151J
Vishay Dale
IMC1812RV151K
Vishay Dale
IMC1812RV15NM
Vishay Dale
IMC1812RV180K
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel