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codice articolo del costruttore | IM02RU6R8J |
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Numero di parte futuro | FT-IM02RU6R8J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02RU6R8J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 175mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 60MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02RU6R8J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02RU6R8J-FT |
IM02KR100K
Vishay Dale
IM02KR101K
Vishay Dale
IM02KR1R0K
Vishay Dale
IM02KR1R8K
Vishay Dale
IM02KR220K
Vishay Dale
IM02KR2R7K
Vishay Dale
IM02KR330K
Vishay Dale
IM02KR390K
Vishay Dale
IM02KR470K
Vishay Dale
IM02KR4R7K
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel