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codice articolo del costruttore | IM02RU3R9F |
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Numero di parte futuro | FT-IM02RU3R9F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02RU3R9F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±1% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02RU3R9F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02RU3R9F-FT |
IM02EV221K
Vishay Dale
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LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel
EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel