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codice articolo del costruttore | IM02EBR47K |
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Numero di parte futuro | FT-IM02EBR47K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02EBR47K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 650mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 330MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 790kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EBR47K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02EBR47K-FT |
IMC1812RV3R3J
Vishay Dale
IMC1812RV3R3K
Vishay Dale
IMC1812RV3R9J
Vishay Dale
IMC1812RV3R9K
Vishay Dale
IMC1812RV470J
Vishay Dale
IMC1812RV470K
Vishay Dale
IMC1812RV471J
Vishay Dale
IMC1812RV471K
Vishay Dale
IMC1812RV47NM
Vishay Dale
IMC1812RV4R7J
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel