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codice articolo del costruttore | IM02EBR15J |
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Numero di parte futuro | FT-IM02EBR15J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02EBR15J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 150nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 600MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EBR15J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02EBR15J-FT |
IM02BH6R2J
Vishay Dale
IM02BH6R8F
Vishay Dale
IM02BH6R8G
Vishay Dale
IM02BH6R8J
Vishay Dale
IM02BH6R8K
Vishay Dale
IM02BH750J
Vishay Dale
IM02BH7R5J
Vishay Dale
IM02BH820J
Vishay Dale
IM02BH820K
Vishay Dale
IM02BH821K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel