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codice articolo del costruttore | IM02EBR12K |
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Numero di parte futuro | FT-IM02EBR12K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02EBR12K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 120nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.27A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 640MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EBR12K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02EBR12K-FT |
IM02BH681K
Vishay Dale
IM02BH6R2J
Vishay Dale
IM02BH6R8F
Vishay Dale
IM02BH6R8G
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IM02BH6R8J
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IM02BH6R8K
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IM02BH750J
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IM02BH820J
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IM02BH820K
Vishay Dale
10M04DAF256I7G
Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
Intel
10M08SCU169I7G
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXMBBR2H43C2LN
Intel
A42MX16-TQ176I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780I7N
Intel