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codice articolo del costruttore | IM02EB3R9K |
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Numero di parte futuro | FT-IM02EB3R9K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02EB3R9K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EB3R9K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02EB3R9K-FT |
IM02BH561K
Vishay Dale
IM02BH5R1J
Vishay Dale
IM02BH5R6H
Vishay Dale
IM02BH5R6J
Vishay Dale
IM02BH5R6K
Vishay Dale
IM02BH620J
Vishay Dale
IM02BH680J
Vishay Dale
IM02BH680K
Vishay Dale
IM02BH681K
Vishay Dale
IM02BH6R2J
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel