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codice articolo del costruttore | IM02EB1R2K |
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Numero di parte futuro | FT-IM02EB1R2K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02EB1R2K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 590mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 150MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EB1R2K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02EB1R2K-FT |
IMC1812RV1R8K
Vishay Dale
IMC1812RV220J
Vishay Dale
IMC1812RV220K
Vishay Dale
IMC1812RV221K
Vishay Dale
IMC1812RV22NM
Vishay Dale
IMC1812RV270K
Vishay Dale
IMC1812RV271K
Vishay Dale
IMC1812RV27NM
Vishay Dale
IMC1812RV2R2J
Vishay Dale
IMC1812RV2R2K
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel