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codice articolo del costruttore | IM02BH1R8J |
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Numero di parte futuro | FT-IM02BH1R8J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02BH1R8J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 1.8µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 455mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 125MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02BH1R8J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM02BH1R8J-FT |
ILC0402ER56NK
Vishay Dale
ILC0402ER68NK
Vishay Dale
ILC0402ER6N8K
Vishay Dale
ILC0402ER82NK
Vishay Dale
ILC0402ER8N2K
Vishay Dale
ILC0402ERR10K
Vishay Dale
IM01BH100K
Vishay Dale
IM01BH180K
Vishay Dale
IM01BH1R0K
Vishay Dale
IM01BH1R5K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel