casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IKW25N120H3FKSA1
codice articolo del costruttore | IKW25N120H3FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IKW25N120H3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchStop® |
IKW25N120H3FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | 326W |
Cambiare energia | 2.65mJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 115nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 27ns/277ns |
Condizione di test | 600V, 25A, 23 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 290ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IKW25N120H3FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IKW25N120H3FKSA1-FT |
IRG4BC20KD
Infineon Technologies
IRG4BC20KPBF
Infineon Technologies
IRG4BC20MDPBF
Infineon Technologies
IRG4BC20S
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IRG4BC20SD
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IRG4BC20SDPBF
Infineon Technologies
IRG4BC20U
Infineon Technologies
IRG4BC20U-S
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IRG4BC20UD
Infineon Technologies
IRG4BC20UPBF
Infineon Technologies
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-PQG208M
Microsemi Corporation
5SGSMD8K1F40C2N
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EP4CGX30BF14I7N
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XC6SLX4-L1CSG225I
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LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
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