casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IHW25N120R2FKSA1
codice articolo del costruttore | IHW25N120R2FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IHW25N120R2FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IHW25N120R2FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | 365W |
Cambiare energia | 1.59mJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 60.7nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | -/324ns |
Condizione di test | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHW25N120R2FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHW25N120R2FKSA1-FT |
IRG4BC20UPBF
Infineon Technologies
IRG4BC20W
Infineon Technologies
IRG4BC20WPBF
Infineon Technologies
IRG4BC30F
Infineon Technologies
IRG4BC30FD1
Infineon Technologies
IRG4BC30FD1PBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRG4BC30K
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IRG4BC30KPBF
Infineon Technologies
IRG4BC30S
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4FG676I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C3N
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
LCMXO2-2000HC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX20CF780C6
Intel
EPF8452AQC160-2
Intel