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codice articolo del costruttore | IHV30EB150 |
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Numero di parte futuro | FT-IHV30EB150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHV |
IHV30EB150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 150µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 30A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 13 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 2.1MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Horizontal Cylinder |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.650" Dia x 2.450" L (41.91mm x 62.23mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHV30EB150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHV30EB150-FT |
IHSM5832EB4R7L
Vishay Dale
IHSM5832EB561L
Vishay Dale
IHSM5832EB5R6L
Vishay Dale
IHSM5832EB6R8L
Vishay Dale
IHSM5832EB820L
Vishay Dale
IHSM5832EB821L
Vishay Dale
IHSM5832PJ100L
Vishay Dale
IHSM5832PJ101K
Vishay Dale
IHSM5832PJ101L
Vishay Dale
IHSM5832PJ102L
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel