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codice articolo del costruttore | IHV30BZ150 |
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Numero di parte futuro | FT-IHV30BZ150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHV |
IHV30BZ150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 150µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 30A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 13 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 2.1MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Horizontal Cylinder |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.650" Dia x 2.450" L (41.91mm x 62.23mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHV30BZ150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHV30BZ150-FT |
IHSM5832EB472L
Vishay Dale
IHSM5832EB4R7L
Vishay Dale
IHSM5832EB561L
Vishay Dale
IHSM5832EB5R6L
Vishay Dale
IHSM5832EB6R8L
Vishay Dale
IHSM5832EB820L
Vishay Dale
IHSM5832EB821L
Vishay Dale
IHSM5832PJ100L
Vishay Dale
IHSM5832PJ101K
Vishay Dale
IHSM5832PJ101L
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel