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codice articolo del costruttore | IHSM5832ER4R7L |
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Numero di parte futuro | FT-IHSM5832ER4R7L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER4R7L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 7.4A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 23 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.285" (7.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER4R7L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHSM5832ER4R7L-FT |
74404052100
Wurth Electronics Inc.
74404052101
Wurth Electronics Inc.
744032003
Wurth Electronics Inc.
744032006
Wurth Electronics Inc.
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
Wurth Electronics Inc.
744032220
Wurth Electronics Inc.
744032001
Wurth Electronics Inc.
7440320015
Wurth Electronics Inc.
7440320018
Wurth Electronics Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel